买卖IC网 >> 产品目录 >> GA04JT17-247 MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

GA04JT17-247

库存数量：可订货
制造商：GeneSiC Semiconductor
描述：MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
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制造商 GeneSiC Semiconductor
晶体管极性
汲极/源极击穿电压
闸/源击穿电压
漏极连续电流 4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 500 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-247AB
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 GA04JT17-247
GA050ABPL12
GA05JT01-46
GA05JT03-46
GA05JT12-247
GA05JT12-263
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公司名
电话
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